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    光刻工艺
    镀膜工艺
    刻蚀工艺
    键合工艺
    PI工艺
    PDMS工艺
    TSV通孔
    其他工艺
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    聚酰亚胺(PI)由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(DDE)在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。聚酰亚胺具有优良的耐高低温、电气绝缘性、粘结性、耐介质性、机械性和耐辐照性,能在-269℃-280℃的温度范围内长期使用,短时可达到400℃的高温。原位芯片掌握PI干膜和PI胶两种类型的器件加工技术,为客户提供优质的技术服务。

    技术应用


    聚酰亚胺作为一种特种工程材料,被广泛应用于航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域。

    工艺能力


     干膜:厚度20-150um,刻蚀深度≤15um  光敏溶液:最小线宽5um,厚度5-20um  非光敏溶液:刻蚀深度0-15um

    我们的优势


     同时掌握干膜&PI胶加工技术  干膜刻蚀深度可达15um  掌握多层PI膜叠加工艺  粘附性好

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